Publicado el: 2026-08-03
Actualizado el: 2026-08-03
DRAM mantuvo activos por valor de más de 20.000 millones de dólares durante la caída de finales de julio, tras haber perdido un 32% durante ese mes. Samsung, SK hynix y Micron controlaban casi tres cuartas partes del fondo y su caída fue conjunta, contrarrestando el efecto de la emisión récord de acciones. El ETF se mantuvo enorme mientras que el mercado de memorias subyacente se revirtió.
El mercado de la memoria DRAM alcanzó los 10.000 millones de dólares en 50 días, y gran parte de este crecimiento se produjo después de que las acciones de las empresas de memoria ya hubieran registrado ganancias sustanciales.
Samsung, SK hynix y Micron vinculan la mayor parte del fondo al mismo ciclo de precios de memoria y de gasto en inteligencia artificial.
Aproximadamente 8.800 millones de dólares ingresaron durante el período de retiro, compensando en parte la disminución del total de activos del fondo.
Las caídas de SOXX y SMH fueron menores porque diversificaron su exposición entre procesadores, fundiciones, equipos y otros negocios de semiconductores.
Una recuperación duradera depende de la fijación de precios de HBM y de nuevas revisiones al alza de sus beneficios, no de otro aumento repentino en la creación de ETF.
El mercado de la memoria DRAM experimentó un rápido crecimiento gracias a que ofrecía una vía directa de acceso a empresas cotizadas en EE. UU. como Samsung y SK hynix, además de satisfacer la creciente demanda de memorias de alto ancho de banda. Roundhill lanzó el fondo el 2 de abril como una cartera especializada de empresas globales de memoria y almacenamiento, incluyendo productores de HBM, DRAM, NAND y almacenamiento empresarial.
El fondo alcanzó los 10.000 millones de dólares en aproximadamente 50 días, rompiendo el récord anterior de velocidad para un ETF que superaba ese umbral. Posteriormente, las entradas netas superaron los 21.000 millones de dólares, y los activos se acercaron a los 26.000 millones de dólares a finales de junio.
El gasto en infraestructura de IA había reducido la oferta, mientras que los ingresos y márgenes de las empresas de memorias se aceleraban. La DRAM unificó el mercado global de memorias en un solo símbolo bursátil, después de que las acciones subyacentes ya hubieran registrado ganancias sustanciales. Este mismo momento, que aceleró el crecimiento del fondo, también expuso al nuevo capital a expectativas elevadas.
Micron, Samsung y SK hynix representaban el 74,8% del mercado de DRAM a finales de junio. Sus operaciones difieren, pero sus beneficios responden a muchos de los mismos factores, como los precios de la memoria, la capacidad de HBM, los inventarios y el gasto en infraestructura de IA.
Por lo tanto, varios símbolos bursátiles enmascaran un ciclo de memoria dominante. Cuando las valoraciones cayeron en julio, DRAM tenía pocas participaciones fuera de ese ciclo capaces de compensar el descenso.
DRAM destinó casi tres veces más peso a sus tres mayores participaciones que SOXX.
| Financiar | Exposición principal | Los tres primeros pesos | Disminución del 22 de junio al 17 de julio |
|---|---|---|---|
| DRACMA | Memoria, HBM, NAND y almacenamiento | 74,8% | Casi el 40% |
| SOXX | Amplia industria de semiconductores | Aproximadamente el 25,1% | Aproximadamente el 24% |
| SMH | Grandes empresas globales de semiconductores | Aproximadamente el 37,9% | Aproximadamente un 20% |
SOXX distribuye gran parte de su capital entre procesadores, chips analógicos, semiconductores de red y equipos de fabricación. SMH también está concentrada, pero sus posiciones de liderazgo abarcan el diseño de chips, la producción de fundición y la conectividad. DRAM cuenta con menos negocios capaces de compensar una caída en el precio de las memorias.
La ponderación de las posiciones refleja los datos disponibles a finales de junio y julio. Las tres reducciones de capital se basan en el mismo período comprendido entre el 22 de junio y el 17 de julio, según los datos publicados por ETF.com.
DRAM podría recibir 8.800 millones de dólares en entradas netas y aun así caer, ya que las nuevas participaciones en ETF no impidieron que las acciones subyacentes de memoria perdieran valor. La cifra del 32% en el titular mide la caída mensual de DRAM en julio, mientras que la caída de casi el 40% abarca desde su máximo del 22 de junio hasta su mínimo del 17 de julio. Durante ese período, DRAM cayó de 80,72 dólares a 48,64 dólares.
Una pérdida de mercado del 40% reduciría un fondo de 25.900 millones de dólares a aproximadamente 15.500 millones. Si se añadieran 8.800 millones de dólares en nuevas inversiones, el total de activos volvería a acercarse a los 24.300 millones.
El fondo aún mantenía aproximadamente 23.400 millones de dólares el 17 de julio, una cifra ligeramente inferior a su máximo de finales de junio, a pesar del desplome del precio de sus acciones. Las entradas de capital compensaron gran parte de la pérdida de valor de los activos, aunque sin revertir la pérdida por acción.
Las nuevas creaciones mantuvieron el fondo a un nivel considerable. Sin embargo, no impidieron que cada acción existente perdiera valor.
Las acciones de DRAM cayeron porque los ingresos récord por la fabricación de memorias ya estaban reflejados en el precio de las acciones. Los ingresos de Micron en el tercer trimestre fiscal alcanzaron los 41.460 millones de dólares, frente a los 9.300 millones del año anterior.
SK hynix registró un crecimiento anual de ingresos del 257 % y un margen operativo del 76 % en el segundo trimestre. La compañía atribuyó este desempeño al aumento de los precios de la memoria y al incremento de las ventas de HBM, DRAM para servidores de IA y SSD empresariales.
El negocio de memorias de Samsung también registró ingresos trimestrales y beneficios operativos récord, gracias a los resultados respaldados por los productos para servidores, los envíos de HBM4 y los aumentos de precios en todo el sector.
Estas cifras confirmaron que el auge de la memoria se mantenía intacto. La DRAM ya había alcanzado un máximo del 191% en junio, lo que hacía que el precio de las acciones dependiera de unos resultados que pudieran seguir superando las exigencias de un mercado cada vez más competitivo.
La atención se centró en si el gasto en IA se mantendría tan elevado, con qué rapidez se expandiría la capacidad de memoria y si los precios de la DRAM y la NAND seguirían subiendo. Los resultados récord se habían convertido en lo mínimo esperado. Las sólidas ganancias no defraudaron. Las expectativas las superaron.
Samsung Electronics, Micron Technology y SK hynix dominan el mercado de DRAM. Otras participaciones incluyen Sandisk, Kioxia, Western Digital, Seagate, GigaDevice, Nanya y Winbond. La cartera puede obtener exposición a algunas de estas empresas mediante swaps de rendimiento total en lugar de acciones directas.
Roundhill utiliza swaps de rendimiento total para cumplir con los requisitos de diversificación de las sociedades de inversión reguladas, manteniendo al mismo tiempo la exposición a sus mayores participaciones en el sector de la memoria. Los bonos del Tesoro y los instrumentos del mercado monetario se encuentran junto a estos derivados como activos líquidos, por lo que no deben confundirse con una posición defensiva importante frente a las acciones de memoria.
No. La memoria DRAM en sí misma no apunta a un múltiplo de su rendimiento diario. La RAM busca el 200 % del rendimiento diario de la DRAM, mientras que la RAMZ busca un -200 %. Ambas se reinician después de cada sesión, por lo que sus rendimientos de varios días pueden diferir notablemente de un simple cálculo de dos veces.
Sí. El precio de la DRAM puede bajar si el crecimiento de los pedidos de HBM se ralentiza, la producción se expande más rápido que la demanda, los precios de los contratos alcanzan su punto máximo o las estimaciones de ganancias comienzan a caer. Las sólidas ganancias actuales ofrecen una protección limitada cuando los precios de las acciones de memoria ya dan por sentado que continuarán las restricciones de suministro y que las ganancias seguirán creciendo.
Las entradas de capital en los ETF generan participaciones adicionales e incrementan el total de activos del fondo, pero no garantizan ganancias en las acciones subyacentes. DRAM recibió aproximadamente 8.800 millones de dólares durante la caída, mientras que Samsung, SK Hynix, Micron y otras participaciones continuaron bajando. El nuevo capital compensó parte de la disminución de los activos, pero no protegió el valor de cada acción.
Los resultados de Sandisk del 5 de agosto y el día del inversor del 13 de agosto son las próximas pruebas programadas para los precios de la memoria NAND, la demanda de los centros de datos y las previsiones futuras. Ofrecerán una primera lectura del ciclo de la memoria, aunque la tendencia general sigue ligada a Samsung, SK hynix y Micron.
Los envíos de HBM, los precios de la memoria DRAM para servidores y las previsiones de beneficios de las empresas determinarán si julio marcó un ajuste temporal en la valoración o el inicio de una reevaluación más profunda. Una fuerte demanda por sí sola no restablecerá la valoración de la DRAM a los niveles de junio.
Una recuperación duradera requiere que las mejoras en las ganancias superen el descuento que ya tienen los precios de las acciones de las empresas de memorias, no que ingresen otros mil millones de dólares al fondo.
