Что такое ETF на память? Почему ИИ создает новую стратегию в полупроводниковой отрасли?

Memory ETF — это биржевой фонд, который инвестирует в компании, производящие технологии памяти и хранения данных. Такие технологии нужны, чтобы хранить информацию и быстро передавать ее процессорам.

Развитие ИИ-инфраструктуры превратило этот узкий сегмент рынка полупроводников в отдельную инвестиционную тему: спрос на память с высокой пропускной способностью (HBM), DRAM и NAND растет вместе с расходами на ускорители и дата-центры. По прогнозу World Semiconductor Trade Statistics (WSTS), мировой рынок полупроводников вырастет на 90%, до $1,51 трлн в 2026 году, а выручка от продаж памяти увеличится примерно на 250%, превысив $800 млрд. Основной вклад в этот рост вносят ИИ-инфраструктура, память HBM и высокопроизводительные вычисления.

Этот рост выручки не стоит путать с ростом на 250% физического объема потребляемой памяти. Micron ожидает, что поставки бит DRAM в отрасли в 2026 году увеличатся примерно на 20% с небольшим, что значительно ниже темпов роста выручки. Такое несоответствие объясняется сочетанием нескольких факторов: реальным ростом объемов, повышением цен на память и смещением спроса в сторону более дорогих продуктов, таких как HBM.

Что такое memory ETF

Memory ETF объединяет несколько компаний, связанных с компьютерной памятью и хранением данных, в один биржевой инструмент. Вместо выбора отдельного производителя, например Micron Technology, Samsung Electronics или SK Hynix, инвестор получает через один фонд доступ сразу к нескольким участникам цикла памяти.Категория охватывает несколько технологий. Динамическая память с произвольным доступом, или DRAM, служит оперативной памятью для компьютеров и серверов. Память с высокой пропускной способностью, или HBM, — это специализированная разновидность многослойной DRAM, разработанная для быстрой передачи больших объемов данных между памятью и высокопроизводительными процессорами. Флеш-память NAND сохраняет данные без питания и широко используется в твердотельных накопителях (SSD), а жесткие диски остаются важными для хранения данных большого объема.

Roundhill Memory ETF (тикер DRAM) стал первым специализированным memory ETF, запущенным 2 апреля 2026 года. Roundhill включает в фонд компании, работающие в сегментах HBM, DRAM, NAND, SSD, жестких дисков и специализированной памяти. Комиссия фонда (expense ratio) составляет 0,65% в год.

Рост фонда на старте оказался беспрецедентным. За примерно три месяца в DRAM поступило более $21 млрд чистых притоков, а активы под управлением приблизились к $26 млрд к 8 июля — по данным ETF.com, это самый быстрый рост активов среди запущенных ETF за всю историю наблюдений. По собственным данным Roundhill, на 14 августа активы фонда составляли около $27,44 млрд, что говорит о сохранении необычно крупной базы активов спустя всего несколько месяцев после запуска.

Успех DRAM подтолкнул других эмитентов выйти на этот рынок: появились Tuttle Capital Concentrated Memory Stack ETF (HBMX), Kurv Memory Select ETF (KMEM) и Tema Memory ETF (DISK). Однако приток средств в эти фонды оказался намного скромнее: по данным ETF.com, вскоре после запуска активы каждого из них составляли около $30 млн. Успех DRAM превратил память в самостоятельную категорию ETF, хотя интерес инвесторов пока не распределился равномерно между конкурирующими фондами.

Почему ИИ потребляет все больше памяти

На первом этапе бума ИИ-инфраструктуры основное внимание уделялось вычислительной мощности. Более быстрые графические процессоры и специализированные ускорители позволили запускать более крупные модели и более требовательные задачи, но расширение вычислительной базы создало новое ограничение: этим процессорам требуются огромные объемы данных, доставляемые достаточно быстро, чтобы поддерживать их эффективную работу.

HBM решает эту задачу, размещая быструю память в непосредственной близости от современных процессоров и обеспечивая значительно более высокую пропускную способность по сравнению с обычными конфигурациями памяти. По мере роста ИИ-моделей и увеличения числа задач инференса требования к объему и пропускной способности памяти могут расти вместе с вычислительной производительностью.

Одновременно растет спрос на хранение данных. Обучающие датасеты, параметры моделей и данные инференса по-прежнему нужно хранить вне самого ускорителя, что расширяет тему на обычную DRAM, флеш-память NAND, корпоративные SSD и другие технологии хранения.

Физическое строительство инфраструктуры выходит далеко за рамки продаж полупроводников. По оценке McKinsey, поставки чипов, серверов и сетевого оборудования, необходимых для строительства дата-центров, выросли почти на 40% в 2025 году и обеспечили примерно треть роста мировой торговли. В конечном счете программное обеспечение для ИИ опирается на значительно более крупную физическую инфраструктуру.

HBM стал узким местом для ИИ и потянул вверх весь цикл памяти

Память исторически была одним из самых циклических сегментов полупроводниковой отрасли. Производители наращивают мощности, когда цены и маржа высоки, дополнительное предложение со временем давит на цены, инвестиции замедляются, и цикл начинается заново.

ИИ заметно усилил спрос. В материалах Micron по итогам третьего финансового квартала говорится о быстро растущем спросе со стороны клиентов и рекордных инвестициях в технологии, продукты и поставки, при этом компания продолжает расширять линейку продуктов HBM.

Разрыв между ростом выручки и ростом физических объемов показывает, насколько необычным стал текущий цикл. WSTS ожидает роста продаж памяти примерно на 250% в 2026 году, тогда как отраслевой прогноз Micron предполагает рост поставок бит DRAM лишь на уровне 20% с небольшим. Физический спрос растет, но значительно более сильный рост выручки отрасли показывает, что цены, дефицит предложения и более дорогие продукты памяти вносят весомый вклад в текущий бум.

Такое сочетание поддерживает прибыль производителей, пока сохраняются дефицит и ценовая власть, но одновременно повышает чувствительность отрасли к любому будущему развороту цен на память. Резкий цикл роста выручки вполне может сосуществовать с гораздо более медленным ростом физического числа поставляемых бит памяти.

Memory ETF более концентрирован, чем кажется

Владение ETF обычно обеспечивает определенную диверсификацию между отдельными компаниями, однако DRAM остается необычно концентрированным даже после расширения портфеля. По последним опубликованным данным Roundhill на 9 августа, фонд включал 24 позиции, при этом доля Micron составляла 26,86%, Samsung Electronics — 24,61%, а SK Hynix — 20,35%. Совокупно на три компании по-прежнему приходилось примерно 71,8% фонда.

Обновленные данные скорее подтверждают исходный тезис о концентрации, чем опровергают его. Число позиций в DRAM выросло с 17 в июньском фактшите, а точные веса крупнейших позиций изменились, но более семи долларов из каждых десяти в портфеле по-прежнему приходятся на Micron, Samsung и SK Hynix. Таким образом, ETF снижает зависимость от одного производителя, но делает относительно немного для диверсификации от судьбы доминирующих компаний отрасли памяти.

Roundhill классифицирует DRAM как недиверсифицированный фонд. Соответственно, ETF остается сильно подверженным общим отраслевым факторам — ценам на память, спросу на HBM, расширению предложения и капитальным расходам полупроводниковых компаний, — даже несмотря на увеличение числа бумаг в портфеле.

Фонд также использует свопы на полную доходность (total-return swaps) для части позиций, чтобы соблюдать требования диверсификации, предъявляемые к регулируемым инвестиционным компаниям. Такие производные инструменты добавляют риски контрагента, оценки и ликвидности сверх обычного прямого владения акциями.

Термин «memory ETF» описывает скорее тему, чем стандартизированный портфель. KMEM изначально направлял около 42% портфеля в SK Hynix, тогда как DISK гораздо сильнее ориентирован на компании NAND и хранения данных, такие как Kioxia и SanDisk. HBMX действует шире, включая поставщиков оборудования для производства полупроводников, таких как Applied Materials, ASML и Lam Research. Поэтому два фонда с одинаковой меткой «память» могут по-разному реагировать на цены HBM, спрос на NAND и капитальные расходы полупроводниковой отрасли.

Структурный спрос со стороны ИИ не отменяет цикличность рынка памяти

Высокие цены и дефицит уже стимулируют производителей расширять мощности. По прогнозу SEMI, продажи оборудования для производства DRAM вырастут на 39%, до $38,8 млрд в 2026 году, а продажи оборудования для NAND — на 30,7%, до $13,9 млрд. Рост поддерживают спрос на HBM, производство современной DRAM и продолжающиеся инвестиции в технологии NAND.

Эти инвестиции помогают поставщикам удовлетворять растущий спрос, но дополнительные мощности со временем создают новый риск. ИИ способен годами обеспечивать структурный рост потребления памяти, при этом прибыль компаний-производителей памяти остается цикличной. Если предложение начнет расти быстрее спроса, цены на память могут снизиться, маржа — сократиться, а прибыль производителей — упасть, даже если число потребляемых бит DRAM и NAND продолжит расти.

DRAM уже показал, насколько резко могут меняться такие ожидания. После торгов на уровне $80,72 около пика сектора полупроводников 22 июня DRAM упал до внутридневного минимума в $48,64 17 июля — падение почти на 40%. Более широкий тезис об ИИ-инфраструктуре остался в силе, но фонд потерял значительную часть ранее набранной доходности менее чем за месяц.

Эта просадка отражает главный риск лучше, чем сама метка ETF. Покупка нескольких компаний памяти одновременно снижает часть специфических для отдельной компании рисков, но риски, связанные с ценами на память, расширением предложения и циклом HBM, остаются общими для большей части портфеля.

Memory ETF превращают цикл памяти для ИИ в биржевую тему

Память стала отдельной темой в полупроводниковой отрасли, поскольку ИИ-инфраструктура все сильнее зависит от пропускной способности и хранения данных вокруг процессоров. HBM подключается напрямую к современным ускорителям, обычная DRAM обслуживает серверные нагрузки, а NAND и корпоративные системы хранения обрабатывают растущие объемы данных.

Быстрый рост активов DRAM показывает, насколько охотно инвесторы приняли эту тему, хотя в текущем портфеле фонда около 71,8% по-прежнему приходится на Micron, Samsung и SK Hynix. Конкурирующие memory ETF также демонстрируют, что одна и та же метка может означать совершенно разную структуру вложений в зависимости от того, делает ли фонд акцент на HBM, NAND, хранении данных или оборудовании для производства полупроводников.

Главный аргумент в пользу памяти остается прежним: продолжающийся рост спроса на биты, связанный с ИИ, при сохранении ограниченного предложения, особенно в премиальных продуктах, таких как HBM. Прогноз выручки от WSTS показывает, насколько сильно спрос, цены и структура продуктов сейчас транслируются в продажи отрасли, а значительно более низкий прогноз роста бит от Micron объясняет, почему этот показатель выручки нельзя приравнивать к росту физического потребления.

Спрос со стороны ИИ может оставаться структурным на протяжении многих лет, не устраняя при этом цикличность отрасли памяти. Для memory ETF итоговый баланс между ростом бит, ценами и новыми производственными мощностями определит, превратится ли сегодняшний бум выручки в устойчивый рост прибыли или обернется очередным резким разворотом в одной из самых цикличных отраслей полупроводникового сектора.