發布日期: 2026年01月26日
1月26日市場消息透露，三星電子12層堆疊HBM4已完成英偉達最終品質認證，預計最快2月啟動晶圓投片，5月開始規模出貨。這意味著英偉達下一代Rubin架構GPU的「彈藥庫」有了第二家穩定供應商。
三星此次通過認證的HBM4採用第六代10nm級1c DRAM，比SK海力士、美光仍在使用的1b製程領先半代，單晶粒容量與能源效率同步提升約20%。
更關鍵的是，三星把「儲存+邏輯+封裝」全鏈條攥在自己手裡：4nm基礎晶片(Base Die)自產、36GB 12層DRAM自產、混合鍵合(Hybrid Bonding)3D封裝也在同一條產線完成，成為目前唯一能提供「一站式」HBM4的供應商。
產能端，三星計畫在2026年底把HBM月產能從17萬片擴及25萬片(12吋當量)，增幅近50%。平澤P4廠新增先進封裝線，部分傳統DRAM產線轉產HBM，設備搬入已在年初啟動。
對比之下，SK海力士雖然技術成熟，但M15X新廠要到2026年年中才投產，短期擴產彈性比三星弱。一旦三星良率穩定，英偉達「雙供」策略將迅速落地，SK海力士獨供局面將被打破。
三星內部人士透露，12層HBM4無需二次改版即可走量，2月晶圓投片後只需3個月工藝優化，5月中旬就能向英偉達總部發貨。
短期看，三星切入帶來的最大變數是「議價能力」。 HBM4單價約比HBM3E高60%–70%，佔AI加速卡BOM成本25%以上。過去兩年SK海力士一家獨大，議價空間極小;如今三星放量，英偉達可藉機引進第二供應商，壓低報價。
產業鏈研究顯示，2026年HBM4需求位數將較去年同期翻倍，其中英偉達佔七成。若三星拿下30%份額，意味著全年約2.5億GB的HBM4市場，三星可望貢獻7,500萬GB，對應營收約80–90億美元，足以扭轉其儲存業務2025年營業利潤下滑的頹勢。
對伺服器廠而言，HBM供應「由一變二」意味著排產確定性大增。以往因HBM3E缺貨，部分AI伺服器訂單被迫延遲2–3個月;三星HBM4量產後，同等算力機櫃的交付週期可望縮短至6週以內，直接緩解雲廠商「搶卡」焦慮。
從更長遠的角度來看，三星已啟動16層堆疊HBM4及HBM4E研發，目標速率13Gbps，頻寬3.3TB/s，比現有產品再提升37%。一旦2027年商用，AI訓練群集內部通訊瓶頸將進一步打開，萬億參數大模型分散式訓練成本或再降三成。
當然，SK海力士不會坐視。其採用MR-MUF製程+1b DRAM的HBM4也已量產，良率穩定在70%以上，且與台積電合作3D封裝，技術路線不同但同樣成熟。未來兩年，HBM4大概率形成「三星+SK海力士」雙寡頭，美光則以差異化CMOS基地晶片追趕。
三星HBM4通過認證是AI算力產業鏈「去單一化」的關鍵節點。 5月之後，當搭載三星的Rubin GPU開始出貨，AI伺服器高價低產量的「緊箍咒」將被鬆開，大模型訓練成本也有望隨之下探。
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