发布日期: 2026年01月26日
1月26日市场消息透露，三星电子12层堆叠HBM4已完成英伟达最终质量认证，预计最快2月启动晶圆投片，5月开始规模出货。这意味英伟达下一代Rubin架构GPU的“弹药库”有了第二家稳定供应商。
三星此次通过认证的HBM4采用第六代10nm级1c DRAM，比SK海力士、美光仍在使用的1b工艺领先半代，单晶粒容量与能效同步提升约20%。
更关键的是，三星把“存储+逻辑+封装”全链条攥在自己手里：4nm基础芯片(Base Die)自产、36GB 12层DRAM自产、混合键合(Hybrid Bonding)3D封装也在同一条产线完成，成为目前唯一能提供“一站式”HBM4的供应商。
产能端，三星计划到2026年底把HBM月产能从17万片扩至25万片(12英寸当量)，增幅近50%。平泽P4厂新增先进封装线，部分传统DRAM产线转产HBM，设备搬入已在年初启动。
对比之下，SK海力士虽然技术成熟，但M15X新厂要到2026年年中才投产，短期扩产弹性弱于三星。一旦三星良率稳定，英伟达“双供”策略将迅速落地，SK海力士独供局面将被打破。
三星内部人士透露，12层HBM4无需二次改版即可走量，2月晶圆投片后只需3个月工艺优化，5月中旬就能向英伟达总部发货。
短期看，三星切入带来的最大变量是“议价能力”。HBM4单价约比HBM3E高60%–70%，占AI加速卡BOM成本25%以上。过去两年SK海力士一家独大，议价空间极小;如今三星放量，英伟达可借机引入第二供应商，压低报价。
产业链调研显示，2026年HBM4需求位元数将同比翻倍，其中英伟达占七成。若三星拿下30%份额，意味着全年约2.5亿GB的HBM4市场，三星有望贡献7500万GB，对应营收约80–90亿美元，足以扭转其存储业务2025年营业利润下滑的颓势。
对服务器厂而言，HBM供应“由一变二”意味着排产确定性大增。以往因HBM3E缺货，部分AI服务器订单被迫延迟2–3个月;三星HBM4量产后，同等算力机柜的交付周期有望缩短至6周以内，直接缓解云厂商“抢卡”焦虑。
从更长远的角度看，三星已启动16层堆叠HBM4及HBM4E研发，目标速率13Gbps，带宽3.3TB/s，比现有产品再提升37%。一旦2027年商用，AI训练集群内部通信瓶颈将进一步打开，万亿参数大模型分布式训练成本或再降三成。
当然，SK海力士不会坐视。其采用MR-MUF工艺+1b DRAM的HBM4也已量产，良率稳定在70%以上，且与台积电合作3D封装，技术路线不同但同样成熟。未来两年，HBM4大概率形成“三星+SK海力士”双寡头，美光则凭借差异化CMOS基地芯片追赶。
三星HBM4通过认证是AI算力产业链“去单一化”的关键节点。5月之后，当搭载三星的Rubin GPU开始出货，AI服务器高价低产的“紧箍咒”将被松开，大模型训练成本也有望随之下探。
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