發布日期: 2026年04月16日
美光科技在美股DRAM市場的優勢或將被打破，4月16日，韓國儲存巨頭SK海力士已正式確認其美股上市時間表，預計將在今夏登陸華爾街。
SK海力士已向其美國存託憑證(ADR)承銷團隊明確告知，目標上市時間窗口為今年6至7月。
今年3月，SK海力士已向美國證券交易委員會(SEC)提交了保密上市申請(Form F-1)，正式啟動赴美上市程序。公司已指定花旗集團、摩根大通、高盛和美國銀行為此次上市的承銷商。
消息透露，SK海力士計劃發行約佔總股本2%至3%的新股，預計募資規模高達100億至140億美元(約合10兆至15兆韓元)。若以估值上限執行，這筆交易將成為近年來亞洲企業在美國金融市場規模最大的公開募股之一，規模可能超過2021年Coupang完成的46億美元IPO的兩倍。
SK海力士早在今年1月已註銷了價值83億美元(約合12.24萬億韓元)的庫存股，所以此次上市預計將以發行新股的形式進行。
會長崔泰源今年在英偉達GTC 2026大會上也曾明確表示"透過向美國及全球股東開放，公司將能夠成為一家更俱全球化屬性的企業"的願景。
SK集團此次募資的主要用途將聚焦於人工智慧基礎設施建設，包括在韓國龍仁市建設半導體集群，以及擴大先進儲存產品的產能。該公司還計劃將部分資金投入位於美國印第安納州的新生產基地。
SK海力士登陸美股，最直接的影響莫過於對美光科技市場地位的衝擊。長久以來，美光作為美股市場唯一上市的DRAM晶片供應商，享有"獨苗溢價"的特殊地位。 SK海力士ADR的到來，將徹底打破這個局面。
SK海力士此次赴美上市的核心驅動是為了縮小與美國同行的估值差距。以今年業績預期為基準，證券業界給出的SK海力士預期本益比僅3至4倍，而美光科技為8倍。這種估值差異部分源自於海力士先前僅在韓國上市，缺乏全球資本市場的充分定價。
在技術實力方面，SK海力士已在高頻寬記憶體(HBM)領域建立起明顯領先優勢。 2025年第四季，SK海力士在HBM市場的全球營收佔比達到57%，是美光的兩倍以上。
在下一代HBM4產品上，SK海力士更是拿下了英偉達約70%的訂單，預計2026年全球市場佔有率將達54%，而美光僅18%。
對美光而言，SK海力士的ADR上市意味著雙重壓力：
一方面，SK海力士將獲得美股市場龐大的機構資金池支持，為其在龍仁半導體集群及美國本土的產能擴張提供充足資金;
另一方面，美股投資者將首次能夠直接比較三家HBM巨頭的估值水平，美光長期享受的"美股稀缺性溢價"可能面臨重估。
對投資人而言，SK海力士美股上市無疑提供了更多元化的選擇。不過，其對美光的影響可能是短期的。長期來看，兩家公司股價走勢可能趨於一致，因為HBM市場目前供不應求，兩家企業都有望從中受益。
目前市場仍將美光2026財年每股盈餘預測上調至64.37美元，目標價600美元，較目前約有60%的上漲空間。
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