發布日期: 2026年09月16日
更新日期: 2026年09月16日
9月16日，市場消息稱，韓國記憶體晶片巨擘SK海力士正與英特爾展開談判，計劃首次在美國本土生產記憶體晶片。
目前雙方仍處於初步探索階段，尚未簽署最終協議，也未確定具體生產晶片種類。若合作最終達成，這將成為SK海力士首次在美國進行記憶體晶片前端製造的重要佈局。
根據消息人士透露，SK海力士與英特爾正在討論多種合作方案，其中一種可能方式是SK海力士租用英特爾位於美國俄亥俄州的晶片製造設施部分產能，用於生產儲存晶片;另一種方案則是由SK海力士、英特爾以及希望確保儲存供應的大型雲端運算企業共同成立合資企業。
英特爾近年來持續推動美國本土製造策略，其中俄亥俄州晶片園區被視為其重要投資項目之一。不過，該工程建設進度曾出現延遲，因此引入合作夥伴、提高產能利用率，也成為外界關注方向。
SK海力士目前主要生產DRAM、NAND快閃記憶體等儲存產品，同時也是全球高頻寬記憶體(HBM)市場的重要供應商。公司若能夠利用英特爾現有或規劃中的製造資源進入美國生產，不僅可以降低新建工廠所需時間，也能夠更接近美國客戶，提升供應鏈響應能力。
對SK海力士來說，在美國本土建立晶片製造能力是其全球佈局的關鍵一步。公司今年7月已完成美股ADR上市，目前正在印第安納州投資約40億美元興建HBM先進封裝工廠，目標在2029年下半年實現量產。
但該工廠僅負責將韓國生產的DRAM晶圓進行先進封裝測試，並不涉及晶圓製造本身。若與英特爾的合作落地，SK海力士將首次在美國獲得前端晶圓製造能力。
對英特爾而言，這項合作則可望緩解其代工業務面臨的財務壓力。
英特爾於2022年宣佈在俄亥俄州投資最高1000億美元建設晶片製造園區，但受川普政府重新審議《晶片法案》、暫緩對半導體公司財政支持，以及代工業務持續虧損等多重因素影響，該園區兩座工廠的完工時間已從此前計劃的2025年推遲至2030年和2031年。
透過出租產能或組成合資企業引進SK海力士，英特爾可在不出售核心資產的前提下盤活閒置產能，獲得寶貴的現金流。
這筆交易面臨的一個關鍵障礙——韓國方面的技術出口審查。涉及DRAM、HBM等先進儲存技術時，可能面臨韓國政府對於核心半導體技術保護的審查。
由於HBM被視為AI時代的重要策略技術，如果未來合作涉及先進製程和關鍵製造環節，韓國方面可能需要評估相關技術轉移影響。
SK海力士在回應中表示，公司“正在評估各類方案，包括增設生產基地，以強化存儲業務競爭力”，但強調“現階段尚未敲定任何事項”。英特爾方面則拒絕就談判內容發表評論，稱其為“推測”，同時表示對俄亥俄州廠區的投資仍在繼續。
從產業格局來看，若SK海力士成功在美國建立儲存晶片製造能力，將使其在需求最旺盛的北美市場實現“就近供應”，有效對沖關稅與地緣風險。
