发布日期: 2026年09月16日
更新日期: 2026年09月16日
9月16日，市场消息称，韩国存储芯片巨头SK海力士正与英特尔展开谈判，计划首次在美国本土生产存储芯片。
目前双方仍处于初步探索阶段，尚未签署最终协议，也未确定具体生产芯片种类。若合作最终达成，这将成为SK海力士首次在美国进行存储芯片前端制造的重要布局。
根据消息人士透露，SK海力士与英特尔正在讨论多种合作方案，其中一种可能方式是SK海力士租用英特尔位于美国俄亥俄州的芯片制造设施部分产能，用于生产存储芯片;另一种方案则是由SK海力士、英特尔以及希望确保存储供应的大型云计算企业共同成立合资企业。
英特尔近年来持续推进美国本土制造战略，其中俄亥俄州芯片园区被视为其重要投资项目之一。不过，该项目建设进度曾出现延迟，因此引入合作伙伴、提高产能利用率，也成为外界关注方向。
SK海力士目前主要生产DRAM、NAND闪存等存储产品，同时也是全球高带宽内存(HBM)市场的重要供应商。公司若能够利用英特尔现有或规划中的制造资源进入美国生产，不仅可以降低新建工厂所需时间，也能够更接近美国客户，提升供应链响应能力。
对SK海力士来说，在美国本土建立芯片制造能力是其全球布局的关键一步。公司今年7月已完成美股ADR上市，目前正在印第安纳州投资约40亿美元建设HBM先进封装工厂，目标是在2029年下半年实现量产。
但该工厂仅负责将韩国生产的DRAM晶圆进行先进封装和测试，并不涉及晶圆制造本身。若与英特尔的合作落地，SK海力士将首次在美国获得前端晶圆制造能力。
对英特尔而言，这一合作则有望缓解其代工业务面临的财务压力。
英特尔于2022年宣布在俄亥俄州投资最高1000亿美元建设芯片制造园区，但受特朗普政府重新审议《芯片法案》、暂缓对半导体公司财政支持，以及代工业务持续亏损等多重因素影响，该园区两座工厂的完工时间已从此前计划的2025年推迟至2030年和2031年。
通过出租产能或组建合资企业引入SK海力士，英特尔可在不出售核心资产的前提下盘活闲置产能，获得宝贵的现金流。
这笔交易面临的一个关键障碍——韩国方面的技术出口审查。涉及DRAM、HBM等先进存储技术时，可能面临韩国政府对于核心半导体技术保护方面的审查。
由于HBM被视为AI时代的重要战略技术，如果未来合作涉及先进制程和关键制造环节，韩国方面可能需要评估相关技术转移影响。
SK海力士在回应中表示，公司“正在评估各类方案，包括增设生产基地，以强化存储业务竞争力”，但强调“现阶段尚未敲定任何事项”。英特尔方面则拒绝就谈判内容发表评论，称其为“推测”，同时表示对俄亥俄州厂区的投资仍在继续。
从产业格局来看，若SK海力士成功在美国建立存储芯片制造能力，将使其在需求最旺盛的北美市场实现“就近供应”，有效对冲关税与地缘风险。
