發布日期: 2026年05月26日
自2026年以來，全球記憶體晶片市場正經歷一場前所未有的大缺貨。從高頻寬記憶體(HBM)到傳統DRAM，再到NAND快閃記憶體，三大產品線同步陷入供給吃緊。記憶體缺貨潮會持續到什麼時候?又是什麼原因導致了這場席捲全行業的供應危機?
綜合市場資訊研判，記憶體的缺貨潮短期內難以緩解，時間跨度涵蓋2027至2028年。
高盛已大幅上修DRAM市場的供不應求幅度，預估2026年全球DRAM將出現約4.9%的供需缺口，2027年缺口約為2.5%，2026年被形容為近15年來最緊張的一年。
NAND市場同樣面臨緊繃，高盛預估2026年供不應求幅度將達4.2%，2027年為2.1%，可能成為產業歷來最顯著的缺口之一。
從企業端來看，美國記憶體大廠美光在摩根大通全球科技年會上明確表示，由於高效能記憶體芯片產能難以在短期內拉高，HBM、NAND及DRAM的缺貨問題恐一路延續到2026年過後，且這種供不應求的局面預計會維持好一段時間。
業界主管對缺貨時間的判斷同樣偏向長期。威剛董事長陳立白指出，記憶體市場已進入長期向上循環，缺貨情況有機會延續至2028年，目前三大原廠今年產能大多已提前售罄，部分大型雲端服務供應商(CSP)甚至希望簽訂三年至五年的長期供貨合約。
在供給成長追不上需求的情況下，預期2027年缺口將持續擴大，最快須至2027年下半年新增產能到位後，市場緊張情況才有機會緩解。
綜合來看，2026年缺貨將貫穿全年，2027年缺口雖有望逐步收窄，但結構性緊張仍在，全面緩解可能要到2028年或更晚。
1. AI資料中心「吞噬」產能，HBM成為優先之王
生成式AI的爆發讓高頻寬記憶體(HBM)成為兵家必爭之地。 AI訓練伺服器對HBM的需求呈指數級增長，而HBM與傳統DRAM在製程上高度共通，導致三星、SK海力士、美光三大原廠毫不猶豫地將資源向高利潤的HBM與企業級DDR5傾斜。
2. DDR4產能被策略性放棄，舊平台陷入無貨困境
三大原廠將超過70%的產能轉向HBM與DDR5，DDR4被列入淘汰清單，僅維持最低限度生產。但全球仍有龐大的舊設備無法支援DDR5.包括Intel第8至13代平台、AMD AM4平台，以及大量企業工控與NAS系統。
這些設備對DDR4的需求穩定存在，但供給被強制掐斷，導致16GB以上DDR4套裝出現結構性缺貨，部分高規格型號價格甚至超越DDR5。
3. NAND Flash同樣告急，企業級SSD搶佔產能
AI資料中心對高容量企業級SSD的需求同樣強勁。閃迪(SanDisk)已明確表示，NAND產品供不應求將持續至2026年底。同時，三星等廠商逐步停產MLC，全球MLC產能2026年或下降40%以上，消費級SSD價格從2025年底的45美元(1TB)飆升至近90美元。
4. 新產能遠水難救近火
記憶體廠擴產受限於無塵室空間與設備交付週期。本輪新增產能需追溯至2023年的資本開支，當時三大原廠因產能過剩而擴產消極。
目前僅有SK海力士M15X工廠於2025年底量產、三星P4L預計於2026年量產，其餘新增產能普遍要到2027年下半年才有望完工，之後還需至少兩個季度的爬坡驗證。
這場記憶體超級週期正從上游晶片端向下游模組端、封測端全面蔓延。記憶體封測廠訂單湧進，產能利用率直逼滿載，已陸續調升封測價格。
對終端市場的影響
PC與手機：記憶體約佔PC整體物料成本的25%，近期價格漲幅達50%-100%，必然推升終端售價。
企業用戶：大型科技公司董事長、總裁需親自出面要貨，多數客戶連一年合約都簽不到。
消費者：DDR4用戶若需升級應儘早採購，避免面臨無貨可買或價格過高的窘境。新機組裝則建議直接擁抱DDR5平台。
給不同群體的建議
企業採購者：提前簽訂長期合約、多元化供應商並探索替代方案。
OEM廠商：關注成本轉嫁對終端銷售的影響，透過設計最佳化或漲價策略來因應。
投資者：記憶體廠商在2026年獲利能力強勁，但需警覺週期頂部風險。
本輪記憶體缺貨並非傳統景氣循環的短期波動，而是由AI驅動的長期結構性短缺，是可能延續至2028年的超級週期。
