发布日期: 2026年05月26日
2026年以来，全球记忆体芯片市场正经历一场前所未有的大缺货。从高频宽记忆体(HBM)到传统DRAM，再到NAND快闪记忆体，三大产品线同步陷入供给吃紧。记忆体缺货潮会持续到什么时候?又是什么原因导致了这场席卷全行业的供应危机?
综合市场信息研判，记忆体的缺货潮短期内难以缓解，时间跨度覆盖2027至2028年。
高盛已大幅上修DRAM市场的供不应求幅度，预估2026年全球DRAM将出现约4.9%的供需缺口，2027年缺口约为2.5%，2026年被形容为近15年来最紧张的一年。
NAND市场同样面临紧绷，高盛预估2026年供不应求幅度将达4.2%，2027年为2.1%，可能成为产业历来最显著的缺口之一。
从企业端来看，美国记忆体大厂美光在摩根大通全球科技年会上明确表示，由于高效能记忆体晶片产能难以在短期内拉高，HBM、NAND及DRAM的缺货问题恐一路延续到2026年过后，且这种供不应求的局面预计会维持好一段时间。
业界高管对缺货时间的判断同样偏向长期。威刚董事长陈立白指出，记忆体市场已进入长期向上循环，缺货情况有机会延续至2028年，目前三大原厂今年产能大多已提前售罄，部分大型云端服务供应商(CSP)甚至希望签订三年至五年的长期供货合约。
在供给成长追不上需求的情况下，预期2027年缺口将持续扩大，最快须至2027年下半年新增产能到位后，市场紧张情况才有机会缓解。
综合来看，2026年缺货将贯穿全年，2027年缺口虽有望逐步收窄，但结构性紧张仍在，全面缓解可能要到2028年或更晚。
1. AI数据中心“吞噬”产能，HBM成为优先级之王
生成式AI的爆发让高带宽记忆体(HBM)成为兵家必争之地。AI训练服务器对HBM的需求呈指数级增长，而HBM与传统DRAM在制程上高度共通，导致三星、SK海力士、美光三大原厂毫不犹豫地将资源向高利润的HBM与企业级DDR5倾斜。
2. DDR4产能被战略性放弃，旧平台陷入无货困境
三大原厂将超过70%的产能转向HBM与DDR5，DDR4被列入淘汰清单，仅维持最低限度生产。但全球仍有庞大的旧设备无法支援DDR5，包括Intel第8至13代平台、AMD AM4平台，以及大量企业工控与NAS系统。
这些设备对DDR4的需求稳定存在，但供给被强制掐断，导致16GB以上DDR4套装出现结构性缺货，部分高规格型号价格甚至超越DDR5。
3. NAND Flash同样告急，企业级SSD抢占产能
AI数据中心对高容量企业级SSD的需求同样强劲。闪迪(SanDisk)已明确表示，NAND产品供不应求将持续至2026年底。与此同时，三星等厂商逐步停产MLC，全球MLC产能2026年或下降40%以上，消费级SSD价格从2025年底的45美元(1TB)飙升至近90美元。
4. 新产能远水难救近火
记忆体厂扩产受限于无尘室空间与设备交付周期。本轮新增产能需追溯到2023年的资本开支，当时三大原厂因产能过剩而扩产消极。
目前仅有SK海力士M15X工厂于2025年底量产、三星P4L有望于2026年量产，其余新增产能普遍要到2027年下半年才有望完工，之后还需至少两个季度的爬坡验证。
这场记忆体超级周期正从上游晶片端向下游模组端、封测端全面蔓延。记忆体封测厂订单涌进，产能利用率直逼满载，已陆续调升封测价格。
对终端市场的影响
PC与手机：存储器约占PC整体物料成本的25%，近期价格涨幅达50%-100%，必然推升终端售价。
企业用户：大型科技公司董事长、总裁需亲自出面要货，多数客户连一年合约都签不到。
消费者：DDR4用户若需升级应尽早采购，避免面临无货可买或价格过高的窘境。新机组装则建议直接拥抱DDR5平台。
给不同群体的建议
企业采购方：提前签订长期合约、多元化供应商并探索替代方案。
OEM厂商：关注成本转嫁对终端销量的影响，通过设计优化或提价策略应对。
投资者：记忆体厂商在2026年盈利能力强劲，但需警惕周期顶部风险。
本轮记忆体缺货并非传统景气循环的短期波动，而是由AI驱动的长期结构性短缺，是可能延续至2028年的超级周期。
