发布日期: 2026年04月16日
美光科技在美股DRAM市场的优势或将被打破，4月16日，韩国存储巨头SK海力士已正式确认其美股上市时间表，预计将在今夏登陆华尔街。
SK海力士已向其美国存托凭证(ADR)承销团队明确告知，目标上市时间窗口为今年6至7月。
今年3月，SK海力士已向美国证券交易委员会(SEC)提交了保密上市申请(Form F-1)，正式启动赴美上市程序。公司已指定花旗集团、摩根大通、高盛和美国银行作为此次上市的承销商。
据消息透露，SK海力士计划发行约占总股本2%至3%的新股，预计募资规模高达100亿至140亿美元(约合10万亿至15万亿韩元)。若按估值上限执行，这笔交易将成为近年来亚洲企业在美国金融市场规模最大的公开募股之一，规模可能超过2021年Coupang完成的46亿美元IPO的两倍。
SK海力士早在今年1月已注销了价值83亿美元(约合12.24万亿韩元)的库存股，所以此次上市预计将以发行新股的形式进行。
会长崔泰源今年在英伟达GTC 2026大会上也曾明确表示"通过向美国及全球股东开放，公司将能够成为一家更具全球化属性的企业"的愿景。
SK集团此次募资的主要用途将聚焦于人工智能基础设施建设，包括在韩国龙仁市建设半导体集群，以及扩大先进存储产品的产能。公司还计划将部分资金投入位于美国印第安纳州的新生产基地。
SK海力士登陆美股，最直接的影响莫过于对美光科技市场地位的冲击。长期以来，美光作为美股市场唯一上市的DRAM芯片供应商，享有"独苗溢价"的特殊地位。SK海力士ADR的到来，将彻底打破这一局面。
SK海力士此次赴美上市的核心驱动是为了缩小与美国同行的估值差距。以今年业绩预期为基准，证券业界给出的SK海力士预期市盈率仅为3至4倍，而美光科技为8倍。这种估值差异部分源于海力士此前仅在韩国上市，缺乏全球资本市场的充分定价。
在技术实力方面，SK海力士已在高带宽内存(HBM)领域建立起明显领先优势。2025年第四季度，SK海力士在HBM市场的全球营收占比达到57%，是美光的两倍以上。
在下一代HBM4产品上，SK海力士更是拿下了英伟达约70%的订单，预计2026年全球市占率将达54%，而美光仅为18%。
对于美光而言，SK海力士的ADR上市意味着双重压力：
一方面，SK海力士将获得美股市场庞大的机构资金池支持，为其在龙仁半导体集群及美国本土的产能扩张提供充足资金;
另一方面，美股投资者将首次能够直接比较三家HBM巨头的估值水平，美光长期享受的"美股稀缺性溢价"可能面临重估。
对于投资者而言，SK海力士美股上市无疑提供了更多元化的选择。不过，其对美光的影响可能是短期的。长期来看，两家公司股价走势可能趋于一致，因为HBM市场目前供不应求，两家企业都有望从中受益。
目前市场仍将美光2026财年每股收益预测上调至64.37美元，目标价600美元，较当前有约60%的上涨空间。
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