發布日期: 2026年07月15日
更新日期: 2026年07月15日
7月15日台股開高震盪,盤中一度上漲439點,指數重新站上45100點。市場買盤不再集中於少數大型AI權值股,資金開始擴散至記憶體、成熟過程晶圓代工及台塑集團相關個股。
南亞科、華邦電、旺宏與鈀創等相關股票明顯走強,聯電、力積電等成熟過程概念股也同步反彈。台塑集團則由南亞帶動,市場關注電子材料、玻纖布、銅箔基板及轉投資收益。經歷前一階段劇烈震盪後,記憶體股再度成為盤面焦點,也讓市場重新思考:這一輪由AI需求推動的DRAM漲價週期,究竟還能持續多久?

本次台股反彈並非完全依賴單一大型權值股,而是呈現半導體、電子材料及傳統產業同步走強的格局。
聯電主要經營成熟製程晶圓代工,受到消費性電子、通訊及工業訂單回溫預期帶動;力積電則兼具成熟製程代工與記憶體相關題材,產業景氣回升時較容易獲得資金關注。
記憶體族群方面,南亞科、華邦電、旺宏及缽創表現相對突出,反映市場重新評估DRAM、NOR Flash及NAND Flash的供需前景。
| 觀察族群 | 代表公司 | 市場關注重點 |
|---|---|---|
| 標準型DRAM | 南亞科 | DRAM合約價、新進廠進度 |
| 利基型DRAM、NOR Flash | 華邦電 | 成熟產品供應、工業與車用需求 |
| NOR Flash、NAND Flash | 旺宏 | 產品報價、庫存與終端需求 |
| 記憶體IC | 鈀創 | 利基型產品需求與價格變化 |
| 成熟製程晶圓代工 | 聯電、力積電 | 產能利用率、訂單與產品組合 |
| 台塑集團 | 南亞、台塑、台化 | 電子材料、塑化景氣與轉投資收益 |
不過,單日股價大漲主要反映市場情緒改善,並不代表所有公司的營收與獲利已同步進入強勁成長階段。後續仍需依產品結構、報價變更及實際訂單分別判斷。
本輪記憶體景氣與過去週期最大的不同,在於AI資料中心所帶來的結構性需求。
訓練及運行大型AI模型需要大量GPU、HBM與高容量伺服器DRAM。隨著雲端服務商持續擴大AI資本支出,高頻寬記憶體及伺服器產品需求快速成長,國際原廠也將更多晶圓、先進製程及封裝資源投入高階產品。
SK海力士管理階層近期對記憶體供需維持相對樂觀看法,認為隨著AI基礎設施持續擴張,未來數年高階記憶體仍可能面臨供應不足。
這類產業預測並不代表價格會持續單向上漲,但說明當前需求並非只來自短期庫存回補,而是受到AI伺服器建置、模型規模擴大及資料處理需求成長支撐。
HBM生產所需的晶圓面積、製程步驟及先進封裝資源,普遍高於一般DRAM產品。
當三星電子、SK海力士及美光將更多產能轉向HBM,DDR4、DDR5及部分成熟型DRAM的供應成長便會受到限制。
即使個人電腦與智慧型手機需求僅呈現溫和復甦,只要傳統產品供應持續收縮,DRAM合約價格仍可能獲得支撐。
因此,本輪漲價並非完全依賴終端市場需求大幅成長,也與國際原廠主動調整產品結構有關。
過去記憶體景氣轉好時,廠商往往快速擴大資本支出,最後造成供給過剩與物價下跌。
經過前幾輪產業循環後,主要原廠對擴產態度更為謹慎,並優先將資源投入HBM、伺服器DRAM及高附加價值產品。
只要國際廠商沒有大幅增加傳統DRAM產能,市場供應可能繼續受到控制,價格週期也有機會比過去更長。
AI資料中心除了需要運算晶片,也需要大量企業級SSD儲存訓練資料、模型參數及推理數據,因此NAND Flash需求同樣受到帶動。
隨著企業級SSD容量持續增加,資料中心對高容量儲存產品的需求可能成為NAND市場的重要成長來源。
不過,NAND Flash的產品標準化程度較高,供給彈性通常也高於DRAM。當價格明顯上漲後,原廠可能較快恢復產出,因此後續漲幅未必能完全複製DRAM。
在利基型產品方面,部分國際原廠逐漸減少SLC NAND、NOR Flash及舊規格記憶體供應,使工業、汽車電子、網路設備及嵌入式應用所需晶片持續偏緊。
這類產品市場規模不一定最大,但認證週期長、客戶不易快速更換供應商,因此台廠可能擁有較穩定的議價能力。
南亞科主要佈局標準型DRAM,因此產品平均售價變動會直接影響營收、毛利率及獲利表現。
當國際大廠將更多產能轉向HBM,傳統DRAM供給受到排擠,南亞科便有機會受惠於合約價上漲。
市場後續關注重點包括:
DRAM平均售價能否持續提升;
新製程轉換是否順利;
新廠資本支出及量產進度;
折舊費用是否影響獲利改善速度。
南亞科屬於對DRAM價格敏感度較高的廠商,報價上漲時獲利彈性可能較明顯,但景氣反轉時波動也會相對較大。
華邦電產品涵蓋利基型DRAM、NOR Flash與SLC NAND,主要應用於汽車電子、工業設備、網路通訊及消費性電子。
這類產品認證時間較長,客戶不容易頻繁更換供應商。當國際大廠縮減成熟製程或舊規格產品供應時,華邦電有機會獲得轉單及價格調整空間。
不過,華邦電仍需面對中國廠商擴產、終端庫存變動及消費性電子需求波動等風險。
旺宏主要產品包括NOR Flash與NAND Flash,應用於消費性電子、汽車、工業設備及遊戲機等市場。
若國際廠商減少成熟型Flash供應,終端需求維持穩定,旺宏產品報價及產能利用率可能獲得改善。
但旺宏的實際表現仍取決於消費性電子需求、顧客庫存去化進度及產品組合,不能只依據產業漲價題材判斷獲利。
力積電主要經營成熟製程晶圓代工,同時涉及記憶體相關製程及轉投資題材。
當記憶體客戶增加投片,或成熟製程訂單回溫時,力積電的產能利用率與產品組合可能改善。
不過,力積電並非純記憶體製造商,受惠程度仍需觀察實際訂單、晶圓代工價格及產能利用率,而無法直接與南亞科或華邦電比較。
聯電主要經營成熟製程晶圓代工,本身並非記憶體股。
此次股價走強,主要反映市場預期消費性電子、工業控制、通訊及汽車相關訂單逐漸回溫,加上前期股價整理後出現補漲需求。
記憶體價格上升也可能改善整體成熟過程半導體市場的情緒。當客戶庫存下降、投片需求恢復時,晶圓代工廠的產能利用率可能同步改善。
不過,成熟過程市場仍面臨價格競爭及新增產能壓力,聯電後續表現仍應觀察實際訂單與獲利,而非單純歸類為記憶體概念股。

從目前產業結構來看,DRAM漲價尚未出現明確結束訊號,但未來走勢可能由全面上漲逐漸轉為產品分化。
HBM、伺服器DRAM及高容量企業級儲存受到AI需求支撐,供需相對強勁;傳統消費型DRAM仍受到個人電腦、手機及消費性電子銷售表現影響。
此外,產品價格上漲也會促使廠商增加資本支出。若國際原廠、中國廠商及台灣業者同步擴大產能,未來新增供給可能逐漸改變市場平衡。
判斷DRAM漲價週期是否延續,可以持續觀察以下四個指標:
DRAM合約價:季度報價是否繼續上漲;
原廠資本支出:新增產能何時進入量產;
終端需求:AI伺服器、手機及電腦銷售是否符合預期;
客戶庫存:模組廠與品牌廠是否重新累積庫存。
只要AI伺服器需求維持強勁、國際原廠持續優先生產HBM,而傳統DRAM新增產能有限,價格仍可能維持高檔。
但若終端需求放緩、庫存快速上升,或新產能提前開出,漲幅便可能逐步收斂。
記憶體價格上升通常有利於廠商毛利率,但企業仍需承擔設備折舊、研發支出、電力成本及擴產費用。
若產品報價漲幅開始放緩,而成本持續增加,獲利成長速度可能低於市場預期。
半導體股票經常提前反映未來數季的景氣與獲利表現。
當市場普遍確認產品價格上漲後,部分個股可能已經提前反映未來利多。即使公司財報持續成長,只要未能超過預期,股價仍可能出現獲利了結。
目前部分成熟型DRAM、NOR Flash及NAND產品供應偏緊,但中國半導體廠商仍積極擴大產能與技術佈局。
短期缺貨與長期擴產可能同時存在。若新增產能逐漸進入市場,成熟型產品的價格與利潤空間可能受到壓力。
整體來看,AI伺服器、HBM及企業級儲存需求仍是本輪記憶體景氣的重要支撐。國際原廠將更多產能投入高階產品,也限制了傳統DRAM與部分成熟型記憶體的供應成長,使DRAM合約價格短期仍具支撐力。
記憶體產業內部已逐漸出現分化。 HBM、伺服器DRAM及供應收縮明顯的利基型產品,表現可能優於一般消費產品。南亞科、華邦電、旺宏與鈀創等記憶體相關股票強勢反彈,反映資金重新評估產業前景;聯電與力積電則主要受惠於成熟製程需求回溫預期。
短線股價快速上漲後,後續表現仍將取決於合約報價、客戶庫存、產能利用率及實際獲利。相較於單純追逐漲價題材,辨別各公司的產品結構與獲利彈性將更為重要。
AI伺服器需要大量HBM與高容量伺服器DRAM。當國際原廠優先生產高階產品時,一般DRAM供應成長受到限制,進而支撐產品價格。
目前尚未出現明確結束訊號,但不同產品的供需狀況可能逐漸分化,未來漲幅也可能低於週期初期。
市場常關注南亞科、華邦電、旺宏、缽創、群聯、威剛及創見等公司,但各公司的產品結構、顧客與受惠程度並不相同。
聯電主要經營成熟製程晶圓代工,並非純記憶體廠。股價上漲主要反映成熟製程訂單與產能利用率改善預期。
應先觀察產品報價、庫存、實際獲利及估價。半導體股票通常提前反映景氣,短線快速上漲後仍可能出現較大波動。