發布日期: 2026年03月05日
2026年英偉達GTC大會即將於3月拉開帷幕。本屆大會被業界視為AI基礎設施發展的關鍵轉折點，預計將揭曉Rubin、飛曼等新一代GPU核心參數，並集中展示CPO交換機、電源架構、液冷散熱等算力基建環節的技術突破。
近期市場傳出消息，英偉達或將在GTC大會上公布一款基於Groq架構、利用片上SRAM(靜態隨機存取儲存器)的新型推理晶片。
SRAM架構的引入將帶來技術突破：
①超低延遲
與傳統的DRAM或HBM(高帶寬記憶體)相比，SRAM具有極高的存取速度。透過將資料直接儲存在處理器旁，極大地減少資料移動帶來的延遲，這對於機器人、自動駕駛等需要即時回應的實體AI應用至關重要。
②針對性優化
該晶片並非為了取代通用GPU，而是針對GPU難以高效處理的超快推理任務。
消息一經傳出，引發了市場對HBM(高帶寬記憶體)和DRAM需求可能被削弱的擔憂，在一定程度上造成韓國股市劇烈波動。投資者擔心SRAM的使用會減少對包括HBM在內之主記憶體的需求，導致三星電子、SK海力士等巨頭股價承壓。
但專業分析指出，市場擔憂存在認知偏差。SRAM的成本通常是DRAM的5到10倍，物理密度低，無法承擔大模型儲存的主記憶體職責。
英偉達計畫利用Groq架構，旨在針對GPU難以處理的特定推理工作負載進行優化，特別是需要超低延遲的資料中心工作負載，以及需要即時回應的實體AI邊緣應用(如機器人和自動駕駛)。
隨著AI產業進步，基於Groq的SRAM架構普及將進一步細分AI基礎設施內的記憶體層級。HBM和DRAM將繼續作為大規模模型訓練與通用推理伺服器的主記憶體，而SRAM將填補超低延遲應用場景的空白。
除了新型推理晶片，2026年GTC大會還將集中展示算力基建在電源、通訊和散熱三大核心環節的顛覆性升級。
1、核心架構：Rubin與飛曼晶片的參數揭秘
功耗新高： Rubin單晶片功率預計突破2000W，後續飛曼晶片甚至朝5000W邁進。
電源革命： 確定導入800V高壓(HDVC)供電方案，並推動「三次電源」模組化。這種立體化的PCB結構將大幅節省空間，提升耐流能力。
2、通訊升級：CPO技術的商業化元年
光入機櫃： 大會將展示Rubin Ultra的「光入機櫃」方案。除了交換機，網卡也將與光引擎共封裝(CPO/NPO)，單GPU對應的光引擎數量將大幅提升，解決頻寬瓶頸。
交換機迭代： 重點展示Quantum 3400及以太網6800系列CPO交換機，台積電相關封裝良率的提升將加速其規模化量產。
3、散熱革命：全液冷時代的到來
標配化趨勢： 隨著單晶片功耗邁入2000W+，風冷已觸及極限。2026年將成為液冷爆發元年，單機櫃液冷占比有望衝擊100%。
新材料應用： 重點關注TIM(熱界面材料)的升級。金剛石散熱片和液態金屬材料將成為提升GPU運算能力、降低總擁有成本(TCO)的關鍵技術。
當前AI產業仍處於高速發展的黃金階段，算力基礎設施的升級改造是長期且確定的過程。本屆英偉達GTC大會的技術展示與產業落地訊息，將進一步明確各環節發展節奏與競爭格局，為市場提供清晰的投資方向指引。
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