發布日期: 2026年07月03日
更新日期: 2026年07月03日
2026年7月3日，據報道，三星電子正就第三季通用DRAM及低功耗DRAM（LPDDR）合約與客戶展開談判，三星DRAM目標漲幅最高達20%。
受這消息提振，當日韓國股市晶片板塊大幅走高：
三星電子漲超8%
SK海力士漲超12%
韓國指數KOSPI日內漲幅擴大至6%，站上8100點
全球科技巨頭對AI基礎設施的持續投入，令伺服器DRAM、高頻寬記憶體（HBM）和LPDDR需求全面攀升，整體供應短缺加劇。
隨著AI推理工作負載持續放量，一度被相對冷落的通用DRAM正重回市場舞台中心，其中LPDDR最為矚目。這原本主要用於智慧型手機等行動終端的品類，因其能源效率優勢正被越來越多的AI晶片選為片外緩存，帶動需求快速膨脹；疊加三季度智慧型手機傳統備貨旺季，LPDDR預計將迎來最大相對漲幅。業內人士指出，LPDDR最近在伺服器和行動裝置領域均面臨嚴重供給瓶頸。
業界人士表示，儘管後續漲價幅度可能逐步收窄，但三星等原廠預計將目前高獲利水準延續至明年。
三星電子今年以來的DRAM平均售價漲幅顯著高於同業。數據顯示：
第一季ASP季增約90%
第二季漲幅達50%~60%
第三季三星DRAM目標漲幅約20%
根據Counterpoint統計，三星儲存業務持續維持業界領先地位，SK海力士與美光分居第二、第三名。相較之下，HBM產能佔比較高的SK海力士同期漲價幅度預計較低。
市場分析認為，這一差異主要源自於產品組合不同——三星通用DRAM佔比更高，價格彈性更大，且在談判中採取更激進的策略。
即便短期漲幅趨緩，DRAM價格的中期走勢仍有結構性支撐。核心客戶與記憶體廠商簽訂長期供應協議的比例正持續提升，有效抑制了價格下行風險，也為三星DRAM目標的兌現提供了契約層面的保障。
美光在上月末財報電話會上披露，已與客戶簽署共16份長期供貨合同，不僅對採購量具有約束力，還設定了保障高利潤水平的價格下限。部分合約採用「不買也要付錢」（Take-or-pay）的硬性綁定模式，客戶需繳交預付款。
SK海力士則更進一步，取消了長期協議中的行業標準價格上限，允許現貨市場價格上漲完全反映在合約價格中。
三星和SK海力士都將協議期限從傳統的一年延長至三到五年。三星已明確表態，將尋求更多長期供應協議作為重點，特別是HBM3E、HBM4等主要產品。
這些協議反映出客戶對未來中長期記憶體供給持續偏緊的強烈預判。
此前市場擔心，Meta將內部算力對外租賃或意味著其AI產能已飽和，可能削弱對存儲晶片的需求，但是Meta已於今年4月將全年AI基礎設施投資預算從1150億~1350億美元上調至1250億~1450億美元，資本開支方向億未改。
業內人士解讀稱，此舉更應視為Meta將AI基建從成本中心轉變為可創收資產，而非產能過剩訊號。結合LTA價格保護及HBM價格重新談判等因素，明年DRAM市場大幅下探的可能性較低。
儘管漲價趨勢明確，市場對儲存產業前景已分化。
樂觀方面，美國投行Jefferies預測，2026年第三季記憶體價格較上季將再漲40%~50%，第四季再漲30%~40%，漲勢至少延續到2028年才會明顯放緩。
保守聲音同樣不容忽視。 TrendForce集邦諮詢最新調查顯示，2026年第三季整體DRAM格局雖持續極度緊缺，但因消費級應用需求下修及高基期作用，合約價漲幅已開始收斂，預計季增13%~18%。具體來看，PCOEM庫存回補需求支撐採購動能，但筆電整機庫存滾動至高成本原料將影響全年出貨量；伺服器DRAM供不應求態勢延續，但部分買方採購價受限於LTA規定，整體漲幅縮減。
A股儲存龍頭兆易創新已發布風險提示公告，指出目前產品價格已處於歷史高位，持續大幅上漲的趨勢不可持續。同時「大空頭」投資者麥可‧伯里（Michael Burry）官宣做空美光，認為其估值與技術形態已達歷史極端水準。
三星本輪漲價由供給短缺、AI需求及LTA機制共同推動，與同業的產品結構差異使其漲幅領先。儘管市場對漲價持續性存在分歧，但中期價格支撐明確，儲存產業高景氣有望延續。三星DRAM目標是否能實現，將取決於下游顧客對漲價的接受意願以及終端需求的實際消化能力。對於下游客戶與終端消費者而言，記憶體晶片帶來的成本壓力恐怕仍將持續相當一段時間。
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