发布日期: 2026年07月03日
更新日期: 2026年07月03日
2026年7月3日，据报道，三星电子正就第三季度通用DRAM及低功耗DRAM（LPDDR）合约价与客户展开谈判，三星DRAM目标涨幅最高达20%。
受这消息提振，当日韩国股市芯片板块大幅走高：
三星电子涨超8%
SK海力士涨超12%
韩国指数KOSPI日内涨幅扩大至6%，站上8100点
全球科技巨头对AI基础设施的持续投入，令服务器DRAM、高带宽内存（HBM）和LPDDR需求全面攀升，整体供应短缺加剧。
随着AI推理工作负载持续放量，一度被相对冷落的通用DRAM正重回市场舞台中心，其中LPDDR最为瞩目。这一原本主要用于智能手机等移动终端的品类，因其能效优势正被越来越多的AI芯片选为片外缓存，带动需求快速膨胀；叠加三季度智能手机传统备货旺季，LPDDR预计将迎来最大相对涨幅。业内人士指出，LPDDR最近在服务器和移动设备领域均面临严重供给瓶颈。
业界人士表示，尽管后续涨价幅度可能逐步收窄，但三星等原厂有望将当前高盈利水平延续至明年。
三星电子今年以来的DRAM平均售价涨幅显著高于同业。数据显示：
第一季度ASP环比上涨约90%
第二季度涨幅达50%~60%
第三季度三星DRAM目标涨幅约为20%
据Counterpoint统计，三星存储业务持续保持行业领先地位，SK海力士与美光分列第二、第三位。相比之下，HBM产能占比较高的SK海力士同期涨价幅度预计较低。
市场分析认为，这一差异主要源于产品组合不同——三星通用DRAM占比更高，价格弹性更大，且在谈判中采取更为激进的策略。
即便短期涨幅趋缓，DRAM价格的中期走势仍有结构性支撑。核心客户与内存厂商签订长期供应协议的比例正持续提升，有效抑制了价格下行风险，也为三星DRAM目标的兑现提供了契约层面的保障。
美光在上月末财报电话会上披露，已与客户签署共16份长期供货合同，不仅对采购量具有约束力，还设定了保障高利润水平的价格下限。部分合约采用“不买也要付钱”（Take-or-pay）的硬性绑定模式，客户需缴纳预付款。
SK海力士则更进一步，取消了长期协议中的行业标准价格上限，允许现货市场价格上涨完全反映在合约价格中。
三星和SK海力士均将协议期限从传统的一年延长至三到五年。三星已明确表态，将寻求更多长期供应协议作为重点，特别是HBM3E、HBM4等主要产品。
这些协议反映出客户对未来中长期内存供给持续偏紧的强烈预判。
此前市场担心，Meta将内部算力对外租赁或意味着其AI产能已饱和，可能削弱对存储芯片的需求，但是Meta已于今年4月将全年AI基础设施投资预算从1150亿~1350亿美元上调至1250亿~1450亿美元，资本开支方向未改。
业内人士解读称，此举更应视为Meta将AI基建从成本中心转变为可创收资产，而非产能过剩信号。结合LTA价格保护及HBM价格重新谈判等因素，明年DRAM市场出现大幅下探的可能性较低。
尽管涨价趋势明确，市场对存储行业前景已出现分化。
乐观方面，美国投行Jefferies预测，2026年第三季度内存价格环比将再涨40%~50%，第四季度再涨30%~40%，涨势至少延续到2028年才会明显放缓。
保守声音同样不容忽视。TrendForce集邦咨询最新调查显示，2026年第三季整体DRAM格局虽持续极度紧缺，但因消费级应用需求下修及高基期作用，合约价涨幅已开始收敛，预计季增13%~18%。具体来看，PCOEM库存回补需求支撑采购动能，但笔记本整机库存滚动至高成本原料将影响全年出货量；服务器DRAM供不应求态势延续，但部分买方采购价受限于LTA规定，整体涨幅缩减。
A股存储龙头兆易创新已发布风险提示公告，指出目前产品价格已处于历史高位，继续大幅上涨的趋势不可持续。同时“大空头”投资者迈克尔·伯里（Michael Burry）官宣做空美光，认为其估值与技术形态已达历史极端水平。
三星本轮涨价由供给短缺、AI需求及LTA机制共同推动，与同业的产品结构差异使其涨幅领先。尽管市场对涨价持续性存在分歧，但中期价格支撑明确，存储行业高景气度有望延续。三星DRAM目标是否能实现，将取决于下游客户对涨价的接受意愿以及终端需求的实际消化能力。对于下游客户与终端消费者而言，存储芯片带来的成本压力恐怕仍将持续相当一段时间。
