發布日期: 2026年06月29日
6月29日，韓國政府與兩大半導體巨頭三星、SK海力士共同宣布了韓國史上最大規模的產業投資計畫。其中，DRAM產能翻倍成為核心焦點，韓國綜合股價指數(KOSPI)午後直線拉升。
根據韓國政府公佈的方案，未來數年將圍繞半導體與AI基礎設施展開系統性投資，總規模預計超過800兆韓元，並在產業鏈上下游形成完整擴張體系。
其中，三星電子與SK海力士將主導核心投資，聯合供應鏈企業建設多個新一代晶圓廠與先進封裝基地，整體資本開支預計在未來十年可能突破1000兆韓元等級。
投資結構主要包括三個部分－三星、SK海力士主導的晶圓廠擴建;政府配套的產業園區與基礎建設;區域性半導體群聚佈局(西南地區為重點)。
西南地區新計畫：將投資5兆至20兆韓元，作為啟動資金。
光州、全羅集群核心計畫：總投資高達520兆韓元，旨在打造全新的晶片生產基地。
長期戰略：韓國政府預計在未來15年內，在晶片領域(包括下一代記憶體、邊緣人工智慧和國防等)的投資將至少達到30兆韓元。同時，在忠清地區的晶片封裝集群也將獲得81兆韓元的投資。
三星與SK海力士將透過新建晶圓廠與擴建產線，把DRAM供給能力在未來五年內提升一倍以上，同時重點提升高頻寬記憶體(HBM)產出，以滿足AI算力中心的爆發式需求。
截至發稿，韓國KOSPI指數收盤下跌0.2%，報8394.65點，指數午後直線拉升，一度翻紅，而此前跌幅曾超過3%，韓國政府和龍頭企業同時釋放出超大規模的半導體產業投資信號扭轉市場情緒。
指數表現：韓國KOSPI指數收盤下跌0.2%，報8394.65點。
盤中異動：指數午後直線拉升，一度翻紅，此前盤中曾一度跌超3%。
具體來看，韓國政府宣布將在西南地區建造四座晶片廠，投資約800兆韓元，並計畫五年內將DRAM生產能力翻倍。
同時，三星電子與SK海力士在當日下午共同宣布，未來10年將進行總額達2,000兆韓元的龐大投資，重點版佈局半導體、AI算力資料中心與實體AI領域。
儘管政策利好刺激了午後反彈，但權重股三星電子仍下跌4.76%，SK海力士下跌1.68%，市場對韓國股市短期基本面或估值仍存在一定顧慮。
